Справочник MOSFET. JMTC58N06B

 

JMTC58N06B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTC58N06B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 186 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JMTC58N06B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTC58N06B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1164K  jiejie micro
 jmtc58n06b.pdf pdf_icon

JMTC58N06B

60V, 58A, 8.3m N-channel Power Trench MOSFETJMTC58N06BProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 58 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power Manage

Другие MOSFET... JMTC085P04A , JMTC110N06A , JMTC170N10A , JMTC3002B , JMTC3003A , JMTC3005A , JMTC320N10A , JMTC4004A , SKD502T , JMTC60N04B , JMTC6888A , JMTC80N06A , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.