JMTC58N06B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTC58N06B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 186 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для JMTC58N06B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTC58N06B даташит

 ..1. Size:1164K  jiejie micro
 jmtc58n06b.pdf pdf_icon

JMTC58N06B

60V, 58A, 8.3m N-channel Power Trench MOSFET JMTC58N06B Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 60 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 58 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Manage

Другие IGBT... JMTC085P04A, JMTC110N06A, JMTC170N10A, JMTC3002B, JMTC3003A, JMTC3005A, JMTC320N10A, JMTC4004A, RFP50N06, JMTC60N04B, JMTC6888A, JMTC80N06A, JMTL3400A, JMTL3400L, JMTL3401B, JMTL3402A, JMTL3404A