JMTC58N06B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTC58N06B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 186 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для JMTC58N06B
JMTC58N06B Datasheet (PDF)
jmtc58n06b.pdf

60V, 58A, 8.3m N-channel Power Trench MOSFETJMTC58N06BProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 58 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power Manage
Другие MOSFET... JMTC085P04A , JMTC110N06A , JMTC170N10A , JMTC3002B , JMTC3003A , JMTC3005A , JMTC320N10A , JMTC4004A , IRF2807 , JMTC60N04B , JMTC6888A , JMTC80N06A , JMTL3400A , JMTL3400L , JMTL3401B , JMTL3402A , JMTL3404A .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor