JMTC60N04B Todos los transistores

 

JMTC60N04B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTC60N04B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 192 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0077 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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JMTC60N04B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  jiejie micro
 jmtc60n04b.pdf pdf_icon

JMTC60N04B

JMTC60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 40V,60A Load Switch R

 9.1. Size:1151K  jiejie micro
 jmtc6888a.pdf pdf_icon

JMTC60N04B

68V, 80A, 7.2m N-channel Power Trench MOSFETJMTC6888AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 68 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 80 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-22

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History: NVD5865NL | FMH23N50ES | FQD30N06 | AP01L60T-H | FQPF32N20C | JMTC80N06A

 

 
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