JMTC60N04B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTC60N04B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 192 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0077 Ohm
Encapsulados: TO220
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JMTC60N04B datasheet
jmtc60n04b.pdf
JMTC60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 40V,60A Load Switch R
jmtc6888a.pdf
68V, 80A, 7.2m N-channel Power Trench MOSFET JMTC6888A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 68 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 80 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-22
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History: JMTC035N06D
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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