Справочник MOSFET. JMTC60N04B

 

JMTC60N04B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTC60N04B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JMTC60N04B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTC60N04B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:538K  jiejie micro
 jmtc60n04b.pdf pdf_icon

JMTC60N04B

JMTC60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 40V,60A Load Switch R

 9.1. Size:1151K  jiejie micro
 jmtc6888a.pdf pdf_icon

JMTC60N04B

68V, 80A, 7.2m N-channel Power Trench MOSFETJMTC6888AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 68 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 80 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-22

Другие MOSFET... JMTC110N06A , JMTC170N10A , JMTC3002B , JMTC3003A , JMTC3005A , JMTC320N10A , JMTC4004A , JMTC58N06B , IRFZ46N , JMTC6888A , JMTC80N06A , , , , , , .

History: FMH23N50ES | FQD30N06 | NVD5865NL | FQPF32N20C | AP01L60T-H | JMTC80N06A | AP05N20GJ

 

 
Back to Top

 


 
.