JMTC6888A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTC6888A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 213 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0094 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de JMTC6888A MOSFET
JMTC6888A Datasheet (PDF)
jmtc6888a.pdf
68V, 80A, 7.2m N-channel Power Trench MOSFETJMTC6888AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 68 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 80 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-22
jmtc60n04b.pdf
JMTC60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 40V,60A Load Switch R
Otros transistores... JMTC170N10A , JMTC3002B , JMTC3003A , JMTC3005A , JMTC320N10A , JMTC4004A , JMTC58N06B , JMTC60N04B , 7N60 , JMTC80N06A , , , , , , , .
History: STV5NA50 | STT01N20 | IPZ65R045C7
History: STV5NA50 | STT01N20 | IPZ65R045C7
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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