JMTC6888A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JMTC6888A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 213 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для JMTC6888A
JMTC6888A Datasheet (PDF)
jmtc6888a.pdf
68V, 80A, 7.2m N-channel Power Trench MOSFETJMTC6888AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 68 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 80 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-22
jmtc60n04b.pdf
JMTC60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 40V,60A Load Switch R
Другие MOSFET... JMTC170N10A , JMTC3002B , JMTC3003A , JMTC3005A , JMTC320N10A , JMTC4004A , JMTC58N06B , JMTC60N04B , 7N60 , JMTC80N06A , , , , , , , .
History: NVD5865NL | IXFH26N50P3 | STT01N20 | STV5NA50 | IPZ65R045C7
History: NVD5865NL | IXFH26N50P3 | STT01N20 | STV5NA50 | IPZ65R045C7
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTC80N06A | JMTC6888A | JMTC60N04B | JMTC58N06B | JMTC4004A | JMTC320N10A | JMTC3005A | JMTC3003A | JMTC3002B | JMTC170N10A | JMTC110N06A | JMTC085P04A | JMTC068N07A | JMTC060N06A | JMTC035N06D | JMTC035N04A
Popular searches
кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet