JMTL850P04A Todos los transistores

 

JMTL850P04A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTL850P04A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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JMTL850P04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1423K  jiejie micro
 jmtl850p04a.pdf pdf_icon

JMTL850P04A

-40V, -2.8A, 74m P-channel Power Trench MOSFETJMTL850P04AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS -40 V Pb-free platingVGS(th)_Typ -1.6 VID(@VGS=-10V) -2.8 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 61 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 74 mW PWM Application Power Management

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History: IRLU120A

 

 
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