JMTL850P04A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTL850P04A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm

Encapsulados: SOT23

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JMTL850P04A datasheet

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JMTL850P04A

-40V, -2.8A, 74m P-channel Power Trench MOSFET JMTL850P04A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit Halogen-free; RoHS-compliant VDSS -40 V Pb-free plating VGS(th)_Typ -1.6 V ID(@VGS=-10V) -2.8 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 61 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 74 mW PWM Application Power Management

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