JMTL850P04A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTL850P04A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для JMTL850P04A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTL850P04A даташит

 ..1. Size:1423K  jiejie micro
 jmtl850p04a.pdf pdf_icon

JMTL850P04A

-40V, -2.8A, 74m P-channel Power Trench MOSFET JMTL850P04A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit Halogen-free; RoHS-compliant VDSS -40 V Pb-free plating VGS(th)_Typ -1.6 V ID(@VGS=-10V) -2.8 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 61 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 74 mW PWM Application Power Management

Другие IGBT... JMTL3404A, JMTL3404B, JMTL3406A, JMTL3407A, JMTL3415KL, JMTL3416KS, JMTL3N10A, JMTL400N04A, IRF1405, JMTLA2N7002KS, JMTLA3134K, JMTQ250C03D, JMTQ3003A, JMTQ3005A, JMTQ3005C, JMTQ3006B, JMTQ3006C