JMTL850P04A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTL850P04A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для JMTL850P04A
JMTL850P04A Datasheet (PDF)
jmtl850p04a.pdf

-40V, -2.8A, 74m P-channel Power Trench MOSFETJMTL850P04AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS -40 V Pb-free platingVGS(th)_Typ -1.6 VID(@VGS=-10V) -2.8 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 61 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 74 mW PWM Application Power Management
Другие MOSFET... JMTL3404A , JMTL3404B , JMTL3406A , JMTL3407A , JMTL3415KL , JMTL3416KS , JMTL3N10A , JMTL400N04A , IRF9640 , JMTLA2N7002KS , JMTLA3134K , JMTQ250C03D , JMTQ3003A , JMTQ3005A , JMTQ3005C , JMTQ3006B , JMTQ3006C .
History: TP2305PR | 7N80L-TQ2-T | IPP45N04S4L-08
History: TP2305PR | 7N80L-TQ2-T | IPP45N04S4L-08



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet