Справочник MOSFET. JMTL850P04A

 

JMTL850P04A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTL850P04A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.088 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для JMTL850P04A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTL850P04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1423K  jiejie micro
 jmtl850p04a.pdf pdf_icon

JMTL850P04A

-40V, -2.8A, 74m P-channel Power Trench MOSFETJMTL850P04AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS -40 V Pb-free platingVGS(th)_Typ -1.6 VID(@VGS=-10V) -2.8 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 61 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 74 mW PWM Application Power Management

Другие MOSFET... JMTL3404A , JMTL3404B , JMTL3406A , JMTL3407A , JMTL3415KL , JMTL3416KS , JMTL3N10A , JMTL400N04A , NCEP15T14 , JMTLA2N7002KS , JMTLA3134K , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.