JMTQ320N10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTQ320N10A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L

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JMTQ320N10A datasheet

 ..1. Size:1238K  jiejie micro
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JMTQ320N10A

100V, 23A, 24.4m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ320N10A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 23 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 22.5 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 24.4 mW Applications Load Switch

 9.1. Size:627K  1
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JMTQ320N10A

JMTQ35N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,35A Load Switch R

 9.2. Size:1288K  jiejie micro
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JMTQ320N10A

 9.3. Size:628K  jiejie micro
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JMTQ320N10A

JMTQ3010D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 22A Load Switch RDS(ON)

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