JMTQ320N10A Todos los transistores

 

JMTQ320N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTQ320N10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMTQ320N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1238K  jiejie micro
 jmtq320n10a.pdf pdf_icon

JMTQ320N10A

100V, 23A, 24.4m N-channel Power Trench MOSFETJMTQ320N10AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 23 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 22.5 mW Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 24.4 mWApplications Load Switch

 9.1. Size:627K  1
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JMTQ320N10A

JMTQ35N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,35A Load Switch R

 9.2. Size:1288K  jiejie micro
 jmtq35n06a.pdf pdf_icon

JMTQ320N10A

60V, 35A, 14.3m N-channel Power Trench MOSFETJMTQ35N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 35 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 12.0 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 14.3 mWApplications Load Switch

 9.3. Size:628K  jiejie micro
 jmtq3010d.pdf pdf_icon

JMTQ320N10A

JMTQ3010DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 22A Load SwitchRDS(ON)

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