JMTQ320N10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTQ320N10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

Аналог (замена) для JMTQ320N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ320N10A даташит

 ..1. Size:1238K  jiejie micro
 jmtq320n10a.pdf pdf_icon

JMTQ320N10A

100V, 23A, 24.4m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ320N10A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 23 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 22.5 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 24.4 mW Applications Load Switch

 9.1. Size:627K  1
 jmtq35n06a.pdf pdf_icon

JMTQ320N10A

JMTQ35N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,35A Load Switch R

 9.2. Size:1288K  jiejie micro
 jmtq35n06a.pdf pdf_icon

JMTQ320N10A

 9.3. Size:628K  jiejie micro
 jmtq3010d.pdf pdf_icon

JMTQ320N10A

JMTQ3010D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 22A Load Switch RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTQ250C03D, JMTQ3003A, JMTQ3005A, JMTQ3005C, JMTQ3006B, JMTQ3006C, JMTQ3008A, JMTQ3010D, RU7088R, JMTQ3400D, JMTQ380C03D, JMTQ4407A, JMTQ440P04A, JMTQ60N04B, JMTQ90N02A, JMSL0403AG, JMSL0403AGQ