JMTQ60N04B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTQ60N04B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
Búsqueda de reemplazo de JMTQ60N04B MOSFET
JMTQ60N04B Datasheet (PDF)
jmtq60n04b.pdf
JMTQ60N04BDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 40V, 40A Load SwitchRDS(ON)
Otros transistores... JMTQ3006C , JMTQ3008A , JMTQ3010D , JMTQ320N10A , JMTQ3400D , JMTQ380C03D , JMTQ4407A , JMTQ440P04A , IRFP064N , JMTQ90N02A , JMSL0403AG , JMSL0403AGQ , JMSL0403AU , JMSL0403PG , JMSL0403PGQ , JMSL0403PK , JMSL0403PU .
Liste
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