JMTQ60N04B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTQ60N04B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
Encapsulados: PDFN3X3-8L
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JMTQ60N04B datasheet
jmtq60n04b.pdf
JMTQ60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 40A Load Switch RDS(ON)
Otros transistores... JMTQ3006C, JMTQ3008A, JMTQ3010D, JMTQ320N10A, JMTQ3400D, JMTQ380C03D, JMTQ4407A, JMTQ440P04A, IRFP064N, JMTQ90N02A, JMSL0403AG, JMSL0403AGQ, JMSL0403AU, JMSL0403PG, JMSL0403PGQ, JMSL0403PK, JMSL0403PU
History: JMTP170N06A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
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