JMTQ60N04B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTQ60N04B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L

 Búsqueda de reemplazo de JMTQ60N04B MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMTQ60N04B datasheet

 ..1. Size:480K  jiejie micro
jmtq60n04b.pdf pdf_icon

JMTQ60N04B

JMTQ60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 40A Load Switch RDS(ON)

Otros transistores... JMTQ3006C, JMTQ3008A, JMTQ3010D, JMTQ320N10A, JMTQ3400D, JMTQ380C03D, JMTQ4407A, JMTQ440P04A, IRFP064N, JMTQ90N02A, JMSL0403AG, JMSL0403AGQ, JMSL0403AU, JMSL0403PG, JMSL0403PGQ, JMSL0403PK, JMSL0403PU