JMTQ60N04B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTQ60N04B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

Аналог (замена) для JMTQ60N04B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ60N04B даташит

 ..1. Size:480K  jiejie micro
 jmtq60n04b.pdf pdf_icon

JMTQ60N04B

JMTQ60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 40A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMTQ3006C, JMTQ3008A, JMTQ3010D, JMTQ320N10A, JMTQ3400D, JMTQ380C03D, JMTQ4407A, JMTQ440P04A, IRFP064N, JMTQ90N02A, JMSL0403AG, JMSL0403AGQ, JMSL0403AU, JMSL0403PG, JMSL0403PGQ, JMSL0403PK, JMSL0403PU