JMTQ60N04B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTQ60N04B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3-8L
Аналог (замена) для JMTQ60N04B
JMTQ60N04B Datasheet (PDF)
jmtq60n04b.pdf

JMTQ60N04BDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 40V, 40A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMTQ3006C , JMTQ3008A , JMTQ3010D , JMTQ320N10A , JMTQ3400D , JMTQ380C03D , JMTQ4407A , JMTQ440P04A , 5N50 , JMTQ90N02A , JMSL0403AG , JMSL0403AGQ , JMSL0403AU , JMSL0403PG , JMSL0403PGQ , JMSL0403PK , JMSL0403PU .
History: FDB5690 | JMSL0406AGQ | 2SK1399 | BSP75G | 2SK1494-Z | FDN8601 | HM2310B
History: FDB5690 | JMSL0406AGQ | 2SK1399 | BSP75G | 2SK1494-Z | FDN8601 | HM2310B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389