JMSL0406AGDQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL0406AGDQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 526 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0069 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L-D

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JMSL0406AGDQ datasheet

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JMSL0406AGDQ

JMSL0406AGDQ 40V 5.5mW Dual N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 49 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.5 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 7.0 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qu

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JMSL0406AGDQ

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JMSL0406AGDQ

JMSL0406AG 40V 4.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th) 1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V) 4.2 m Applications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC

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JMSL0406AGDQ

JMSL0406AGQ 40V 4.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 5.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qu

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