JMTE6888A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTE6888A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 103 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 267 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: TO263
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JMTE6888A datasheet
jmte6888a.pdf
JMTE6888A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 68V, 80A Load Switch R
Otros transistores... JMTE018N03A, JMTE025N04D, JMTE035N04A, JMTE035N06D, JMTE060N06A, JMTE068N07A, JMTE3002B, JMTE3003A, 5N65, JMTK110N06A, JMTK120N03A, JMTK130P04A, JMTK1404A1, JMTK160P03A, JMTK170N10A, JMTK2006A, JMTK2007A
History: JMTC58N06B | JMTE035N06D | JMTI080N02A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
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