JMTE6888A Todos los transistores

 

JMTE6888A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTE6888A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 103 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 267 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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JMTE6888A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:530K  jiejie micro
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JMTE6888A

JMTE6888A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 68V, 80A Load Switch R

Otros transistores... JMTE018N03A , JMTE025N04D , JMTE035N04A , JMTE035N06D , JMTE060N06A , JMTE068N07A , JMTE3002B , JMTE3003A , 4435 , JMTK110N06A , JMTK120N03A , JMTK130P04A , JMTK1404A1 , JMTK160P03A , JMTK170N10A , JMTK2006A , JMTK2007A .

History: JMTK2006A

 

 
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