JMTE6888A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTE6888A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 103 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для JMTE6888A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTE6888A даташит

 ..1. Size:530K  jiejie micro
 jmte6888a.pdf pdf_icon

JMTE6888A

JMTE6888A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 68V, 80A Load Switch R

Другие IGBT... JMTE018N03A, JMTE025N04D, JMTE035N04A, JMTE035N06D, JMTE060N06A, JMTE068N07A, JMTE3002B, JMTE3003A, 5N65, JMTK110N06A, JMTK120N03A, JMTK130P04A, JMTK1404A1, JMTK160P03A, JMTK170N10A, JMTK2006A, JMTK2007A