JMTK160P03A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTK160P03A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 248 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Encapsulados: TO252
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JMTK160P03A datasheet
jmtk160p03a.pdf
-30V, -39A, 13.7m P-channel Power Trench MOSFET JMTK160P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -39 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 9.6 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 13.7 mW Applications Load Sw
jmtk100n02a.pdf
JMTK100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 30A Load Switch RDS(ON)
jmtk110n06a.pdf
60V, 55A, 8m N-channel Power Trench MOSFET JMTK110N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 55 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-252
jmtk120n03a.pdf
JMTK120N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 20A Load Switch RDS(ON)
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History: JMSL0403AU
🌐 : EN ES РУ
Liste
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