JMTK160P03A Todos los transistores

 

JMTK160P03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTK160P03A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 248 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMTK160P03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1326K  jiejie micro
 jmtk160p03a.pdf pdf_icon

JMTK160P03A

-30V, -39A, 13.7m P-channel Power Trench MOSFETJMTK160P03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -39 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 9.6 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 13.7 mWApplications Load Sw

 9.1. Size:1068K  jiejie micro
 jmtk100n02a.pdf pdf_icon

JMTK160P03A

JMTK100N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 30A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:1298K  jiejie micro
 jmtk110n06a.pdf pdf_icon

JMTK160P03A

60V, 55A, 8m N-channel Power Trench MOSFETJMTK110N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 55 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-252

 9.3. Size:879K  jiejie micro
 jmtk120n03a.pdf pdf_icon

JMTK160P03A

JMTK120N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 20A Load SwitchRDS(ON)

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