JMTK160P03A datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTK160P03A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK160P03A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 248 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для JMTK160P03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JMTK160P03A даташит

..1. Size:1326K jiejie micro
jmtk160p03a.pdf pdf_icon

-30V, -39A, 13.7m P-channel Power Trench MOSFET JMTK160P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -39 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 9.6 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 13.7 mW Applications Load Sw

9.1. Size:1068K jiejie micro
jmtk100n02a.pdf pdf_icon

JMTK100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 30A Load Switch RDS(ON)

9.2. Size:1298K jiejie micro
jmtk110n06a.pdf pdf_icon

60V, 55A, 8m N-channel Power Trench MOSFET JMTK110N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 55 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-252

9.3. Size:879K jiejie micro
jmtk120n03a.pdf pdf_icon