JMTLB2N7002KDS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTLB2N7002KDS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm

Encapsulados: SOT363

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JMTLB2N7002KDS datasheet

 ..1. Size:327K  jiejie micro
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JMTLB2N7002KDS

JMTLB2N7002KDS Description JMT N-channel MOSFET Features Application V =60V, I =0.2A Battery Operated Systems DS D R

 9.1. Size:347K  jiejie micro
 jmtlb3134k.pdf pdf_icon

JMTLB2N7002KDS

JMTLB3134K Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 20V, 0.9A Load Switch R

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