JMTLB2N7002KDS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTLB2N7002KDS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT363
Búsqueda de reemplazo de JMTLB2N7002KDS MOSFET
JMTLB2N7002KDS Datasheet (PDF)
jmtlb2n7002kds.pdf
JMTLB2N7002KDSDescriptionJMT N-channel MOSFETFeatures Application V =60V, I =0.2A Battery Operated SystemsDS DR
jmtlb3134k.pdf
JMTLB3134KDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 20V, 0.9A Load SwitchR
Otros transistores... JMTK290N06A , JMTK3002B , JMTK3003A , JMTK3004A , JMTK3005A , JMTK3005B , JMTK3005C , JMTK3005L , 10N65 , JMTLB3134K , JMTM170N04A , JMTM2310A , JMTM300C02D , JMTM300N03D , JMTM330N06A , JMTM3406D , JMTM3415KL .
History: HCS65R210ST
History: HCS65R210ST
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