JMTLB2N7002KDS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTLB2N7002KDS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
Тип корпуса: SOT363
Аналог (замена) для JMTLB2N7002KDS
JMTLB2N7002KDS Datasheet (PDF)
jmtlb2n7002kds.pdf

JMTLB2N7002KDSDescriptionJMT N-channel MOSFETFeatures Application V =60V, I =0.2A Battery Operated SystemsDS DR
jmtlb3134k.pdf

JMTLB3134KDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 20V, 0.9A Load SwitchR
Другие MOSFET... JMTK290N06A , JMTK3002B , JMTK3003A , JMTK3004A , JMTK3005A , JMTK3005B , JMTK3005C , JMTK3005L , STP80NF70 , JMTLB3134K , JMTM170N04A , JMTM2310A , JMTM300C02D , JMTM300N03D , JMTM330N06A , JMTM3406D , JMTM3415KL .
History: JMTM8205B
History: JMTM8205B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06 | MDT100N06 | MPG100N06 | MPG100N03P | MPF7N65 | MPF4N65 | MP5N50 | MP13N50 | MDT80N06D | MDT40P10D | MDT35P10D
Popular searches
ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055