JMTM850P04A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTM850P04A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

Búsqueda de reemplazo de JMTM850P04A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

JMTM850P04A datasheet

..1. Size:477K jiejie micro
jmtm850p04a.pdf pdf_icon

JMTM850P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -5A PWM Applications DS D R

9.1. Size:986K jiejie micro
jmtm8205a.pdf pdf_icon

JMTM8205A Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applicatio l 19.5V, 5A l Load Switch RDS(ON)

9.2. Size:975K jiejie micro
jmtm8205b.pdf pdf_icon

JMTM8205B Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applicatio 20V, 6A Load Switch RDS(ON)

9.3. Size:331K jiejie micro
jmtm8810ks.pdf pdf_icon

JMTM8810KS Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 20V, 4.8A Load Switch R