JMTM850P04A Todos los transistores

 

JMTM850P04A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTM850P04A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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JMTM850P04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  jiejie micro
 jmtm850p04a.pdf pdf_icon

JMTM850P04A

JMTM850P04ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V = -40V, I = -5A PWM ApplicationsDS DR

 9.1. Size:986K  jiejie micro
 jmtm8205a.pdf pdf_icon

JMTM850P04A

JMTM8205ADescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applicatiol 19.5V, 5A l Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:975K  jiejie micro
 jmtm8205b.pdf pdf_icon

JMTM850P04A

JMTM8205BDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applicatio 20V, 6A Load SwitchRDS(ON)

 9.3. Size:331K  jiejie micro
 jmtm8810ks.pdf pdf_icon

JMTM850P04A

JMTM8810KSDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 20V, 4.8A Load SwitchR

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