JMTM850P04A datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTM850P04A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTM850P04A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для JMTM850P04A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:477K jiejie micro
jmtm850p04a.pdf pdf_icon

JMTM850P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -5A PWM Applications DS D R

9.1. Size:986K jiejie micro
jmtm8205a.pdf pdf_icon

JMTM8205A Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applicatio l 19.5V, 5A l Load Switch RDS(ON)

9.2. Size:975K jiejie micro
jmtm8205b.pdf pdf_icon

JMTM8205B Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applicatio 20V, 6A Load Switch RDS(ON)

9.3. Size:331K jiejie micro
jmtm8810ks.pdf pdf_icon

JMTM8810KS Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 20V, 4.8A Load Switch R