JMTM850P04A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTM850P04A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
Аналог (замена) для JMTM850P04A
JMTM850P04A Datasheet (PDF)
jmtm850p04a.pdf

JMTM850P04ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V = -40V, I = -5A PWM ApplicationsDS DR
jmtm8205a.pdf

JMTM8205ADescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applicatiol 19.5V, 5A l Load Switch RDS(ON)
jmtm8205b.pdf

JMTM8205BDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applicatio 20V, 6A Load SwitchRDS(ON)
jmtm8810ks.pdf

JMTM8810KSDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 20V, 4.8A Load SwitchR
Другие MOSFET... JMTM2310A , JMTM300C02D , JMTM300N03D , JMTM330N06A , JMTM3406D , JMTM3415KL , JMTM8205A , JMTM8205B , IRF830 , JMTM8810KS , JMTN11DN10A , JMTN2310A , JMTN330N06A , JMTQ11DP03A , JMTQ120C03D , JMTQ120N03A , JMTQ120N03D .
History: JMTM300C02D | JMTN11DN10A
History: JMTM300C02D | JMTN11DN10A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06 | MDT100N06 | MPG100N06 | MPG100N03P | MPF7N65 | MPF4N65 | MP5N50 | MP13N50 | MDT80N06D | MDT40P10D | MDT35P10D
Popular searches
2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015