JMTN11DN10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTN11DN10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de JMTN11DN10A MOSFET
JMTN11DN10A Datasheet (PDF)
jmtn11dn10a.pdf

JMTN11DN10ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 100V, 3A Load SwitchR
Otros transistores... JMTM300N03D , JMTM330N06A , JMTM3406D , JMTM3415KL , JMTM8205A , JMTM8205B , JMTM850P04A , JMTM8810KS , AO3401 , JMTN2310A , JMTN330N06A , JMTQ11DP03A , JMTQ120C03D , JMTQ120N03A , JMTQ120N03D , JMTQ120N04D , JMTQ130N04D .



Liste
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