JMTN11DN10A Todos los transistores

 

JMTN11DN10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTN11DN10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

 Búsqueda de reemplazo de JMTN11DN10A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

JMTN11DN10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  jiejie micro
jmtn11dn10a.pdf pdf_icon

JMTN11DN10A

JMTN11DN10ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 100V, 3A Load SwitchR

Otros transistores... JMTM300N03D , JMTM330N06A , JMTM3406D , JMTM3415KL , JMTM8205A , JMTM8205B , JMTM850P04A , JMTM8810KS , AO3401 , JMTN2310A , JMTN330N06A , JMTQ11DP03A , JMTQ120C03D , JMTQ120N03A , JMTQ120N03D , JMTQ120N04D , JMTQ130N04D .

 

 
Back to Top

 


JMTN11DN10A
  JMTN11DN10A
  JMTN11DN10A
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06 | MDT100N06 | MPG100N06 | MPG100N03P | MPF7N65 | MPF4N65 | MP5N50 | MP13N50 | MDT80N06D | MDT40P10D | MDT35P10D

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor

 


 
.