JMTN11DN10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTN11DN10A

Código: 11DN10A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: SOT89

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JMTN11DN10A datasheet

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JMTN11DN10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V, 3A Load Switch R