Справочник MOSFET. JMTN11DN10A

 

JMTN11DN10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTN11DN10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для JMTN11DN10A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTN11DN10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  jiejie micro
jmtn11dn10a.pdfpdf_icon

JMTN11DN10A

JMTN11DN10ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 100V, 3A Load SwitchR

Другие MOSFET... JMTM300N03D , JMTM330N06A , JMTM3406D , JMTM3415KL , JMTM8205A , JMTM8205B , JMTM850P04A , JMTM8810KS , AO3401 , JMTN2310A , JMTN330N06A , , , , , , .

History: JMTM3415KL

 

 
Back to Top

 


 
.