JMTN11DN10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTN11DN10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для JMTN11DN10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTN11DN10A даташит

 ..1. Size:318K  jiejie micro
 jmtn11dn10a.pdf pdf_icon

JMTN11DN10A

JMTN11DN10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V, 3A Load Switch R

Другие IGBT... JMTM300N03D, JMTM330N06A, JMTM3406D, JMTM3415KL, JMTM8205A, JMTM8205B, JMTM850P04A, JMTM8810KS, P60NF06, JMTN2310A, JMTN330N06A, JMTQ11DP03A, JMTQ120C03D, JMTQ120N03A, JMTQ120N03D, JMTQ120N04D, JMTQ130N04D