JMTQ120N03D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTQ120N03D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 106 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0143 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L-D

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JMTQ120N03D datasheet

 ..1. Size:526K  jiejie micro
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JMTQ120N03D

JMTQ120N03D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications Load Switch 30V, 15A PWM Application RDS(ON)

 4.1. Size:479K  jiejie micro
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JMTQ120N03D

JMTQ120N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 18A Load Switch RDS(ON)

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JMTQ120N03D

40V, 29A, 15m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ120N04D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 29 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 14 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 15 mW Applications Load Switch PWM

 7.1. Size:607K  jiejie micro
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JMTQ120N03D

JMTQ120C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 11A Battery Protection R

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