JMTQ120N03D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTQ120N03D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0143 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L-D

Аналог (замена) для JMTQ120N03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ120N03D даташит

 ..1. Size:526K  jiejie micro
 jmtq120n03d.pdf pdf_icon

JMTQ120N03D

JMTQ120N03D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications Load Switch 30V, 15A PWM Application RDS(ON)

 4.1. Size:479K  jiejie micro
 jmtq120n03a.pdf pdf_icon

JMTQ120N03D

JMTQ120N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 18A Load Switch RDS(ON)

 5.1. Size:1391K  jiejie micro
 jmtq120n04d.pdf pdf_icon

JMTQ120N03D

40V, 29A, 15m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ120N04D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 29 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 14 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 15 mW Applications Load Switch PWM

 7.1. Size:607K  jiejie micro
 jmtq120c03d.pdf pdf_icon

JMTQ120N03D

JMTQ120C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 11A Battery Protection R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTM850P04A, JMTM8810KS, JMTN11DN10A, JMTN2310A, JMTN330N06A, JMTQ11DP03A, JMTQ120C03D, JMTQ120N03A, 7N60, JMTQ120N04D, JMTQ130N04D, JMTQ130P04A, JMTQ160P03A, JMTQ170C04D, JMTQ190N03A, JMTQ200P03A, JMTQ220N04D