JMTQ200P03A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTQ200P03A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0174 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L

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JMTQ200P03A datasheet

..1. Size:1222K jiejie micro
jmtq200p03a.pdf pdf_icon

JMTQ200P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -12A Load Switch RDS(ON)

9.1. Size:793K jiejie micro
jmtq240c03d.pdf pdf_icon

JMTQ240C03D Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications N-channel 30V, 10A Battery Protection RDS(ON)

9.2. Size:852K jiejie micro
jmtq230n04d.pdf pdf_icon

JMTQ230N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 12A Load Switch RDS(ON)

9.3. Size:585K jiejie micro
jmtq250c03d.pdf pdf_icon

JMTQ250C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 9A Battery Protection R