JMTQ200P03A Todos los transistores

 

JMTQ200P03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTQ200P03A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 166 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0174 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMTQ200P03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1222K  jiejie micro
 jmtq200p03a.pdf pdf_icon

JMTQ200P03A

JMTQ200P03ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -12A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:793K  jiejie micro
 jmtq240c03d.pdf pdf_icon

JMTQ200P03A

JMTQ240C03DDescriptionJMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications N-channel:30V, 10A Battery ProtectionRDS(ON)

 9.2. Size:852K  jiejie micro
 jmtq230n04d.pdf pdf_icon

JMTQ200P03A

JMTQ230N04DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 40V, 12A Load SwitchRDS(ON)

 9.3. Size:585K  jiejie micro
 jmtq250c03d.pdf pdf_icon

JMTQ200P03A

JMTQ250C03DDescriptionJMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Application N-Channel: 30V, 9A Battery ProtectionR

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