JMTQ200P03A datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTQ200P03A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTQ200P03A

Маркировка: Q200P03A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0174 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

Аналог (замена) для JMTQ200P03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:1222K jiejie micro
jmtq200p03a.pdf pdf_icon

JMTQ200P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -12A Load Switch RDS(ON)

9.1. Size:793K jiejie micro
jmtq240c03d.pdf pdf_icon

JMTQ240C03D Description JMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications N-channel 30V, 10A Battery Protection RDS(ON)

9.2. Size:852K jiejie micro
jmtq230n04d.pdf pdf_icon

JMTQ230N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 12A Load Switch RDS(ON)

9.3. Size:585K jiejie micro
jmtq250c03d.pdf pdf_icon

JMTQ250C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 9A Battery Protection R