JMTI080N02A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTI080N02A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 228 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO251

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

JMTI080N02A datasheet

..1. Size:622K jiejie micro
jmti080n02a.pdf pdf_icon

JMTI080N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 50A Load Switch RDS(ON)

7.1. Size:843K jiejie micro
jmti080p03a.pdf pdf_icon

JMTI080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -30V, I = -60A PWM Applications DS D R