JMTI080N02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTI080N02A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 228 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de JMTI080N02A MOSFET
JMTI080N02A Datasheet (PDF)
jmti080n02a.pdf
JMTI080N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 50A Load SwitchRDS(ON)
jmti080p03a.pdf
JMTI080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -30V, I = -60A PWM Applications DS DR
Otros transistores... JMSL040SAGQ , JMSL040SMTL , JMSL040SPG , JMSL0605AGD , JMSL0605AGDQ , JMSL0605PG , JMSL0606AC , JMSL0606AE , IRF1404 , JMTI080P03A , JMTI10N10A , JMTI210P02A , JMTI290N06A , JMTI3005A , JMTI320N10A , JMTI50N06B , JMTI60N04A .
History: HUFA76633P3 | VBL1104N | GSM2301 | VBL1405
History: HUFA76633P3 | VBL1104N | GSM2301 | VBL1405
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SSC8P22CN2 | SSC8P22AN3 | SSC8P20AN2 | SSC8K23GN2 | SSC8K21GN3 | SSC8415GS6 | AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF
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