JMTI080N02A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTI080N02A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 228 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для JMTI080N02A
JMTI080N02A Datasheet (PDF)
..1. Size:622K jiejie micro
jmti080n02a.pdf
jmti080n02a.pdf
JMTI080N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 50A Load SwitchRDS(ON)
7.1. Size:843K jiejie micro
jmti080p03a.pdf
jmti080p03a.pdf
JMTI080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -30V, I = -60A PWM Applications DS DR
Другие MOSFET... JMSL040SAGQ , JMSL040SMTL , JMSL040SPG , JMSL0605AGD , JMSL0605AGDQ , JMSL0605PG , JMSL0606AC , JMSL0606AE , IRF1404 , JMTI080P03A , JMTI10N10A , JMTI210P02A , JMTI290N06A , JMTI3005A , JMTI320N10A , JMTI50N06B , JMTI60N04A .
History: HUFA76639S3ST | FQB17N08LTM
History: HUFA76639S3ST | FQB17N08LTM
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SSC8P22CN2 | SSC8P22AN3 | SSC8P20AN2 | SSC8K23GN2 | SSC8K21GN3 | SSC8415GS6 | AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF
Popular searches
irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546