JMTI080N02A datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTI080N02A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTI080N02A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 228 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для JMTI080N02A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:622K jiejie micro
jmti080n02a.pdf pdf_icon

JMTI080N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 50A Load Switch RDS(ON)

7.1. Size:843K jiejie micro
jmti080p03a.pdf pdf_icon

JMTI080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -30V, I = -60A PWM Applications DS D R