JMTI080P03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTI080P03A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251-4R
Búsqueda de reemplazo de JMTI080P03A MOSFET
JMTI080P03A Datasheet (PDF)
jmti080p03a.pdf

JMTI080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -30V, I = -60A PWM Applications DS DR
jmti080n02a.pdf

JMTI080N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 50A Load SwitchRDS(ON)
Otros transistores... JMSL040SMTL , JMSL040SPG , JMSL0605AGD , JMSL0605AGDQ , JMSL0605PG , JMSL0606AC , JMSL0606AE , JMTI080N02A , IRFP260N , JMTI10N10A , JMTI210P02A , JMTI290N06A , JMTI3005A , JMTI320N10A , JMTI50N06B , JMTI60N04A , JMTK018N03A .
History: JMTI10N10A
History: JMTI10N10A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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