JMTI080P03A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTI080P03A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO251-4R
Аналог (замена) для JMTI080P03A
JMTI080P03A Datasheet (PDF)
jmti080p03a.pdf

JMTI080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -30V, I = -60A PWM Applications DS DR
jmti080n02a.pdf

JMTI080N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 50A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMSL040SMTL , JMSL040SPG , JMSL0605AGD , JMSL0605AGDQ , JMSL0605PG , JMSL0606AC , JMSL0606AE , JMTI080N02A , IRFP260N , JMTI10N10A , JMTI210P02A , JMTI290N06A , JMTI3005A , JMTI320N10A , JMTI50N06B , JMTI60N04A , JMTK018N03A .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06 | MDT100N06 | MPG100N06 | MPG100N03P | MPF7N65 | MPF4N65 | MP5N50 | MP13N50 | MDT80N06D | MDT40P10D | MDT35P10D
Popular searches
2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458