JMTI10N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTI10N10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de JMTI10N10A MOSFET
JMTI10N10A Datasheet (PDF)
jmti10n10a.pdf

JMTI10N10ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 100V, 10A Load SwitchR
Otros transistores... JMSL040SPG , JMSL0605AGD , JMSL0605AGDQ , JMSL0605PG , JMSL0606AC , JMSL0606AE , JMTI080N02A , JMTI080P03A , IRF640N , JMTI210P02A , JMTI290N06A , JMTI3005A , JMTI320N10A , JMTI50N06B , JMTI60N04A , JMTK018N03A , JMTK035N04L .
History: HUF75332G3
History: HUF75332G3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SSC8P22CN2 | SSC8P22AN3 | SSC8P20AN2 | SSC8K23GN2 | SSC8K21GN3 | SSC8415GS6 | AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF
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