JMTI10N10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTI10N10A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO251

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JMTI10N10A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMTI10N10A datasheet

 ..1. Size:376K  jiejie micro
jmti10n10a.pdf pdf_icon

JMTI10N10A

JMTI10N10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V, 10A Load Switch R

Otros transistores... JMSL040SPG, JMSL0605AGD, JMSL0605AGDQ, JMSL0605PG, JMSL0606AC, JMSL0606AE, JMTI080N02A, JMTI080P03A, IRFB4110, JMTI210P02A, JMTI290N06A, JMTI3005A, JMTI320N10A, JMTI50N06B, JMTI60N04A, JMTK018N03A, JMTK035N04L