JMTI10N10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTI10N10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для JMTI10N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTI10N10A даташит

 ..1. Size:376K  jiejie micro
 jmti10n10a.pdf pdf_icon

JMTI10N10A

JMTI10N10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V, 10A Load Switch R

Другие IGBT... JMSL040SPG, JMSL0605AGD, JMSL0605AGDQ, JMSL0605PG, JMSL0606AC, JMSL0606AE, JMTI080N02A, JMTI080P03A, IRFB4110, JMTI210P02A, JMTI290N06A, JMTI3005A, JMTI320N10A, JMTI50N06B, JMTI60N04A, JMTK018N03A, JMTK035N04L