JMTI50N06B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTI50N06B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251S
Búsqueda de reemplazo de JMTI50N06B MOSFET
JMTI50N06B Datasheet (PDF)
jmti50n06b.pdf

JMTI50N06B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,50A Load Switch R
Otros transistores... JMSL0606AE , JMTI080N02A , JMTI080P03A , JMTI10N10A , JMTI210P02A , JMTI290N06A , JMTI3005A , JMTI320N10A , IRFB4115 , JMTI60N04A , JMTK018N03A , JMTK035N04L , JMTK050P03A , JMTK060N06A , JMTK060P03A , JMTK068N07A , JMTK080P03A .
History: HUFA76609D3S | HUFA76445S3ST
History: HUFA76609D3S | HUFA76445S3ST



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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