JMTI50N06B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTI50N06B 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Encapsulados: TO251S
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Búsqueda de reemplazo de JMTI50N06B MOSFET
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JMTI50N06B datasheet
jmti50n06b.pdf
JMTI50N06B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,50A Load Switch R
Otros transistores... JMSL0606AE, JMTI080N02A, JMTI080P03A, JMTI10N10A, JMTI210P02A, JMTI290N06A, JMTI3005A, JMTI320N10A, IRF3710, JMTI60N04A, JMTK018N03A, JMTK035N04L, JMTK050P03A, JMTK060N06A, JMTK060P03A, JMTK068N07A, JMTK080P03A
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MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
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