JMTI50N06B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTI50N06B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO251S

Аналог (замена) для JMTI50N06B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTI50N06B даташит

 ..1. Size:513K  jiejie micro
 jmti50n06b.pdf pdf_icon

JMTI50N06B

JMTI50N06B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,50A Load Switch R

Другие IGBT... JMSL0606AE, JMTI080N02A, JMTI080P03A, JMTI10N10A, JMTI210P02A, JMTI290N06A, JMTI3005A, JMTI320N10A, IRF3710, JMTI60N04A, JMTK018N03A, JMTK035N04L, JMTK050P03A, JMTK060N06A, JMTK060P03A, JMTK068N07A, JMTK080P03A