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JMTK068N07A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTK068N07A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0079 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMTK068N07A

 

Principales características: JMTK068N07A

 ..1. Size:1276K  jiejie micro
 jmtk068n07a.pdf pdf_icon

JMTK068N07A

70V, 51A, 6.1m N-channel Power Trench MOSFET JMTK068N07A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 70 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 51 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.1 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=8.0V 6.5 mW Applications Load Switch P

 8.1. Size:1320K  jiejie micro
 jmtk060p03a.pdf pdf_icon

JMTK068N07A

-30V, -90A, 4.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTK060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 4.2 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 6.3 mW Applications Load Switc

 8.2. Size:319K  jiejie micro
 jmtk060n06a.pdf pdf_icon

JMTK068N07A

JMTK060N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V, 120A Load Switch R

 9.1. Size:1297K  jiejie micro
 jmtk035n04l.pdf pdf_icon

JMTK068N07A

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