JMTK068N07A datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTK068N07A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK068N07A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для JMTK068N07A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JMTK068N07A даташит

..1. Size:1276K jiejie micro
jmtk068n07a.pdf pdf_icon

70V, 51A, 6.1m N-channel Power Trench MOSFET JMTK068N07A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 70 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 51 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.1 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=8.0V 6.5 mW Applications Load Switch P

8.1. Size:1320K jiejie micro
jmtk060p03a.pdf pdf_icon

-30V, -90A, 4.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTK060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 4.2 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 6.3 mW Applications Load Switc

8.2. Size:319K jiejie micro
jmtk060n06a.pdf pdf_icon