JMTP080N04D Todos los transistores

 

JMTP080N04D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTP080N04D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0103 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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JMTP080N04D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:794K  jiejie micro
 jmtp080n04d.pdf pdf_icon

JMTP080N04D

JMTP080N04DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 40V, 13A Load SwitchRDS(ON)

 4.1. Size:923K  jiejie micro
 jmtp080n04a.pdf pdf_icon

JMTP080N04D

JMTP080N04ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 40V, 15A Load SwitchRDS(ON)

 7.1. Size:1120K  jiejie micro
 jmtp080p03a.pdf pdf_icon

JMTP080N04D

JMTP080P03ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -15A Load SwitchRDS(ON)

 8.1. Size:414K  jiejie micro
 jmtp085p02a.pdf pdf_icon

JMTP080N04D

JMTP085P02ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V =-20V, I =-15A PWM ApplicationsDS DR

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History: JMTP11DN10A | IXFK44N80P

 

 
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