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JMTP080N04D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTP080N04D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0103 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMTP080N04D

 

Principales características: JMTP080N04D

 ..1. Size:794K  jiejie micro
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JMTP080N04D

JMTP080N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 13A Load Switch RDS(ON)

 4.1. Size:923K  jiejie micro
 jmtp080n04a.pdf pdf_icon

JMTP080N04D

JMTP080N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 15A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:1120K  jiejie micro
 jmtp080p03a.pdf pdf_icon

JMTP080N04D

JMTP080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -15A Load Switch RDS(ON)

 8.1. Size:414K  jiejie micro
 jmtp085p02a.pdf pdf_icon

JMTP080N04D

JMTP085P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V =-20V, I =-15A PWM Applications DS D R

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History: JMTP080N04A | NDS9959 | JMTP11DN10A

 

 
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