JMTP080N04D - аналоги и даташиты транзистора

 

JMTP080N04D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMTP080N04D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 167 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0103 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для JMTP080N04D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTP080N04D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:794K  jiejie micro
jmtp080n04d.pdfpdf_icon

JMTP080N04D

JMTP080N04DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 40V, 13A Load SwitchRDS(ON)

 4.1. Size:923K  jiejie micro
jmtp080n04a.pdfpdf_icon

JMTP080N04D

JMTP080N04ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 40V, 15A Load SwitchRDS(ON)

 7.1. Size:1120K  jiejie micro
jmtp080p03a.pdfpdf_icon

JMTP080N04D

JMTP080P03ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -15A Load SwitchRDS(ON)

 8.1. Size:414K  jiejie micro
jmtp085p02a.pdfpdf_icon

JMTP080N04D

JMTP085P02ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V =-20V, I =-15A PWM ApplicationsDS DR

Другие MOSFET... JMTK050P03A , JMTK060N06A , JMTK060P03A , JMTK068N07A , JMTK080P03A , JMTP045N03A , JMTP075N06A , JMTP080N04A , IRFP260 , JMTP080P03A , JMTP085P02A , JMTP110N06A , JMTP110N06D , JMTP11DN10A , JMTQ025N02A , JMTQ040N03A , JMTQ050N02A .

 

 
Back to Top

 


 
.