JMTP085P02A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTP085P02A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: SOP8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JMTP085P02A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMTP085P02A datasheet

 ..1. Size:414K  jiejie micro
jmtp085p02a.pdf pdf_icon

JMTP085P02A

JMTP085P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V =-20V, I =-15A PWM Applications DS D R

 8.1. Size:1120K  jiejie micro
jmtp080p03a.pdf pdf_icon

JMTP085P02A

JMTP080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -15A Load Switch RDS(ON)

 8.2. Size:923K  jiejie micro
jmtp080n04a.pdf pdf_icon

JMTP085P02A

JMTP080N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 15A Load Switch RDS(ON)

 8.3. Size:794K  jiejie micro
jmtp080n04d.pdf pdf_icon

JMTP085P02A

JMTP080N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 13A Load Switch RDS(ON)

Otros transistores... JMTK060P03A, JMTK068N07A, JMTK080P03A, JMTP045N03A, JMTP075N06A, JMTP080N04A, JMTP080N04D, JMTP080P03A, 2N7002, JMTP110N06A, JMTP110N06D, JMTP11DN10A, JMTQ025N02A, JMTQ040N03A, JMTQ050N02A, JMTQ055N04A, JMTQ062N04A