JMTP085P02A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTP085P02A 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: SOP8
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de JMTP085P02A MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
JMTP085P02A datasheet
jmtp085p02a.pdf
JMTP085P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V =-20V, I =-15A PWM Applications DS D R
jmtp080p03a.pdf
JMTP080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -15A Load Switch RDS(ON)
jmtp080n04a.pdf
JMTP080N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 15A Load Switch RDS(ON)
jmtp080n04d.pdf
JMTP080N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 13A Load Switch RDS(ON)
Otros transistores... JMTK060P03A, JMTK068N07A, JMTK080P03A, JMTP045N03A, JMTP075N06A, JMTP080N04A, JMTP080N04D, JMTP080P03A, 2N7002, JMTP110N06A, JMTP110N06D, JMTP11DN10A, JMTQ025N02A, JMTQ040N03A, JMTQ050N02A, JMTQ055N04A, JMTQ062N04A
History: JMTP080N04D
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383
