JMTP085P02A datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTP085P02A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTP085P02A 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: SOP8

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для JMTP085P02A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:414K jiejie micro
jmtp085p02a.pdf pdf_icon

JMTP085P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V =-20V, I =-15A PWM Applications DS D R

8.1. Size:1120K jiejie micro
jmtp080p03a.pdf pdf_icon

JMTP080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -15A Load Switch RDS(ON)

8.2. Size:923K jiejie micro
jmtp080n04a.pdf pdf_icon

JMTP080N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 15A Load Switch RDS(ON)

8.3. Size:794K jiejie micro
jmtp080n04d.pdf pdf_icon

JMTP080N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 13A Load Switch RDS(ON)