JMTQ080P03A Todos los transistores

 

JMTQ080P03A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTQ080P03A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 471 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0074 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMTQ080P03A

 

Principales características: JMTQ080P03A

 ..1. Size:1354K  jiejie micro
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JMTQ080P03A

-30V, -50A, 8.1m P-channel Power Trench MOSFET JMTQ080P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested= VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -50 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 5.9 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 8.1 mW Applications Load Swi

 9.1. Size:482K  jiejie micro
 jmtq055n04a.pdf pdf_icon

JMTQ080P03A

JMTQ055N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 70A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:508K  jiejie micro
 jmtq040n03a.pdf pdf_icon

JMTQ080P03A

JMTQ040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 60A Load Switch RDS(ON)

 9.3. Size:535K  jiejie micro
 jmtq075n03d.pdf pdf_icon

JMTQ080P03A

JMTQ075N03D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 25A Load Switch RDS(ON)

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