JMTQ080P03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTQ080P03A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 471 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0074 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
Búsqueda de reemplazo de JMTQ080P03A MOSFET
JMTQ080P03A Datasheet (PDF)
jmtq080p03a.pdf
-30V, -50A, 8.1m P-channel Power Trench MOSFETJMTQ080P03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS Tested=VDSS -30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -50 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 5.9 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 8.1 mWApplications Load Swi
jmtq055n04a.pdf
JMTQ055N04ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 40V, 70A Load SwitchRDS(ON)
jmtq040n03a.pdf
JMTQ040N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 60A Load SwitchRDS(ON)
jmtq075n03d.pdf
JMTQ075N03DDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 25A Load SwitchRDS(ON)
Otros transistores... JMTP110N06D , JMTP11DN10A , JMTQ025N02A , JMTQ040N03A , JMTQ050N02A , JMTQ055N04A , JMTQ062N04A , JMTQ075N03D , IRFB3607 , , , , , , , , .
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