JMTQ080P03A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTQ080P03A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 471 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTQ080P03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ080P03A даташит

 ..1. Size:1354K  jiejie micro
 jmtq080p03a.pdf pdf_icon

JMTQ080P03A

-30V, -50A, 8.1m P-channel Power Trench MOSFET JMTQ080P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested= VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -50 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 5.9 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 8.1 mW Applications Load Swi

 9.1. Size:482K  jiejie micro
 jmtq055n04a.pdf pdf_icon

JMTQ080P03A

JMTQ055N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 70A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:508K  jiejie micro
 jmtq040n03a.pdf pdf_icon

JMTQ080P03A

JMTQ040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 60A Load Switch RDS(ON)

 9.3. Size:535K  jiejie micro
 jmtq075n03d.pdf pdf_icon

JMTQ080P03A

JMTQ075N03D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 25A Load Switch RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTP110N06D, JMTP11DN10A, JMTQ025N02A, JMTQ040N03A, JMTQ050N02A, JMTQ055N04A, JMTQ062N04A, JMTQ075N03D, K4145, JMSL0606AGD, JMSL0606AGQ, JMSL0606AGWQ, JMSL0606AK, JMSL0606AKQ, JMSL0606AP, JMSL0606AU, JMSL0606AUQ