JMTQ080P03A - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTQ080P03A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 471 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0074 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3-8L
Аналог (замена) для JMTQ080P03A
JMTQ080P03A технические параметры
jmtq080p03a.pdf
-30V, -50A, 8.1m P-channel Power Trench MOSFET JMTQ080P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested= VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -50 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 5.9 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 8.1 mW Applications Load Swi
jmtq055n04a.pdf
JMTQ055N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 70A Load Switch RDS(ON)
jmtq040n03a.pdf
JMTQ040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 60A Load Switch RDS(ON)
jmtq075n03d.pdf
JMTQ075N03D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 25A Load Switch RDS(ON)
Другие MOSFET... JMTP110N06D , JMTP11DN10A , JMTQ025N02A , JMTQ040N03A , JMTQ050N02A , JMTQ055N04A , JMTQ062N04A , JMTQ075N03D , K4145 , JMSL0606AGD , JMSL0606AGQ , JMSL0606AGWQ , JMSL0606AK , JMSL0606AKQ , JMSL0606AP , JMSL0606AU , JMSL0606AUQ .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
50n06 | mje350 | 2n3866 | irf 3205 | 2n5088 equivalent | d882 transistor | 2n3771 | s9018








