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JMSL0606AGWQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0606AGWQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 103 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-W

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMSL0606AGWQ

 

Principales características: JMSL0606AGWQ

 ..1. Size:330K  jiejie micro
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JMSL0606AGWQ

JMSL0606AGWQ 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 103 A Wettable Flanks design support high manufacturability and RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 5.2 m Automated Optica

 4.1. Size:277K  1
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JMSL0606AGWQ

JMSL0606AG 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) 4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 5.2 m Applications Power Managerment in Telecom., Industrial

 4.2. Size:284K  jiejie micro
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JMSL0606AGWQ

JMSL0606AGD 60V 6.4m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 6.4 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 7.6 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment

 4.3. Size:410K  jiejie micro
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JMSL0606AGWQ

JMSL0606AGQ 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 103 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Q

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