JMSL0606AGWQ - описание и поиск аналогов

 

JMSL0606AGWQ - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL0606AGWQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 103 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L-W

 Аналог (замена) для JMSL0606AGWQ

 

JMSL0606AGWQ технические параметры

 ..1. Size:330K  jiejie micro
 jmsl0606agwq.pdf pdf_icon

JMSL0606AGWQ

JMSL0606AGWQ 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 103 A Wettable Flanks design support high manufacturability and RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 5.2 m Automated Optica

 4.1. Size:277K  1
 jmsl0606ag.pdf pdf_icon

JMSL0606AGWQ

JMSL0606AG 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) 4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 5.2 m Applications Power Managerment in Telecom., Industrial

 4.2. Size:284K  jiejie micro
 jmsl0606agd.pdf pdf_icon

JMSL0606AGWQ

JMSL0606AGD 60V 6.4m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 6.4 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 7.6 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment

 4.3. Size:410K  jiejie micro
 jmsl0606agq.pdf pdf_icon

JMSL0606AGWQ

JMSL0606AGQ 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 103 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Q

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMTQ040N03A , JMTQ050N02A , JMTQ055N04A , JMTQ062N04A , JMTQ075N03D , JMTQ080P03A , JMSL0606AGD , JMSL0606AGQ , 12N60 , JMSL0606AK , JMSL0606AKQ , JMSL0606AP , JMSL0606AU , JMSL0606AUQ , JMSL0606PE , JMSL0606PG , JMSL0606PU .

 

 
Back to Top

 


 
.