Справочник MOSFET. JMSL0606AGWQ

 

JMSL0606AGWQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL0606AGWQ
   Маркировка: SL0606AQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 103 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L-W
 

 Аналог (замена) для JMSL0606AGWQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0606AGWQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:330K  jiejie micro
jmsl0606agwq.pdfpdf_icon

JMSL0606AGWQ

JMSL0606AGWQ60V 4.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 103 A Wettable Flanks design support high manufacturability and RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)5.2 mAutomated Optica

 4.1. Size:277K  1
jmsl0606ag.pdfpdf_icon

JMSL0606AGWQ

JMSL0606AG60V 4.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V)4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V)5.2 mApplications Power Managerment in Telecom., Industrial

 4.2. Size:284K  jiejie micro
jmsl0606agd.pdfpdf_icon

JMSL0606AGWQ

JMSL0606AGD60V 6.4m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 6.4 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)7.6 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment

 4.3. Size:410K  jiejie micro
jmsl0606agq.pdfpdf_icon

JMSL0606AGWQ

JMSL0606AGQ60V 4.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 103 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Q

Другие MOSFET... JMTQ040N03A , JMTQ050N02A , JMTQ055N04A , JMTQ062N04A , JMTQ075N03D , JMTQ080P03A , JMSL0606AGD , JMSL0606AGQ , 4N60 , JMSL0606AK , JMSL0606AKQ , JMSL0606AP , JMSL0606AU , JMSL0606AUQ , JMSL0606PE , JMSL0606PG , JMSL0606PU .

 

 
Back to Top

 


 
.