JMTK100N02A Todos los transistores

 

JMTK100N02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTK100N02A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0104 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMTK100N02A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1068K  jiejie micro
 jmtk100n02a.pdf pdf_icon

JMTK100N02A

JMTK100N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 30A Load SwitchRDS(ON)

 5.1. Size:980K  jiejie micro
 jmtk100n03a.pdf pdf_icon

JMTK100N02A

JMTK100N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 40A Load SwitchRDS(ON)

 7.1. Size:1371K  jiejie micro
 jmtk100p03a.pdf pdf_icon

JMTK100N02A

-30V,-55A, 8.9m P-channel Power Trench MOSFETJMTK100P03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -55 A ApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.1 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 8.9 mW PWM Applica

 8.1. Size:390K  jiejie micro
 jmtk10n10a.pdf pdf_icon

JMTK100N02A

JMTK10N10ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 100V, 10A Load SwitchR

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