JMTK100N02A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTK100N02A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0104 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для JMTK100N02A
JMTK100N02A Datasheet (PDF)
jmtk100n02a.pdf
JMTK100N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 30A Load SwitchRDS(ON)
jmtk100n03a.pdf
JMTK100N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 40A Load SwitchRDS(ON)
jmtk100p03a.pdf
-30V,-55A, 8.9m P-channel Power Trench MOSFETJMTK100P03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -55 A ApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.1 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 8.9 mW PWM Applica
jmtk10n10a.pdf
JMTK10N10ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 100V, 10A Load SwitchR
Другие MOSFET... JMSL10130AP , JMSL10130APD , JMSL10130AUD , JMSL10130AY , JMSL10130PUD , JMSL1013AGD , JMSL1018AG , JMTK085P04A , MMIS60R580P , JMTK100N03A , JMTK100P03A , JMTK10N10A , JMTK3006B , JMTK3006C , JMTK3006D , JMTK3006E , JMTK320N10A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP60P02D | AP60N06F | AP60N04NF | AP60N04DF | AP60N04D | AP60N03Y | AP60N03NF | AP60N03DF | AP60N03D | AP60N02NF | AP60N02DF | AP60N02D | AP5P06MSI | AP5P04MI | AP40P04NF | AP40P04DF
Popular searches
irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06





