ZXMN2A02X8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZXMN2A02X8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.7 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.6 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: MSOP8

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ZXMN2A02X8 Datasheet (PDF)

..1. Size:247K diodes
zxmn2a02x8.pdf

ZXMN2A02X820V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.02 ID = 7.8ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power managementapplications.MSOP8FEATURES Low on-resistance

0.1. Size:246K zetex
zxmn2a02x8ta.pdf

0.2. Size:246K zetex
zxmn2a02x8tc.pdf

6.1. Size:158K diodes
zxmn2a02n8.pdf

ZXMN2A02N820V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 20V; RDS(ON) = 0.02 ID = 10.2ADESCRIPTIONThis new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, powermanagement applications.SO8FEATURES Low on-resistance

6.2. Size:154K zetex
zxmn2a02n8ta.pdf

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