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JMTK50P03A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTK50P03A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 306 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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Principales características: JMTK50P03A

 ..1. Size:927K  jiejie micro
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JMTK50P03A

JMTK50P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -50A Load Switch RDS(ON)

 6.1. Size:612K  jiejie micro
 jmtk50p02a.pdf pdf_icon

JMTK50P03A

JMTK50P02A Description JMT P-channel MOSFET Features Application V =-20V, I =-60A PWM Applications DS D R

 8.1. Size:878K  jiejie micro
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JMTK50P03A

JMTK50N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 50A Load Switch RDS(ON)

 8.2. Size:1174K  jiejie micro
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JMTK50P03A

100V, 20A, 36m N-channel Power Trench MOSFET JMTK500N10A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 20 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 34 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 36 mW Load Switch PWM Application Po

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