JMTK50P03A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK50P03A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 306 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTK50P03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTK50P03A даташит

 ..1. Size:927K  jiejie micro
 jmtk50p03a.pdf pdf_icon

JMTK50P03A

JMTK50P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -50A Load Switch RDS(ON)

 6.1. Size:612K  jiejie micro
 jmtk50p02a.pdf pdf_icon

JMTK50P03A

JMTK50P02A Description JMT P-channel MOSFET Features Application V =-20V, I =-60A PWM Applications DS D R

 8.1. Size:878K  jiejie micro
 jmtk50n03a.pdf pdf_icon

JMTK50P03A

JMTK50N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 50A Load Switch RDS(ON)

 8.2. Size:1174K  jiejie micro
 jmtk500n10a.pdf pdf_icon

JMTK50P03A

100V, 20A, 36m N-channel Power Trench MOSFET JMTK500N10A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 20 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 34 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 36 mW Load Switch PWM Application Po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSL0611PG, JMSL0611PGD, JMSL0611PP, JMTK480N06A, JMTK500N10A, JMTK50N03A, JMTK50N06B, JMTK50P02A, IRLZ44N, JMTK58N06B, JMTK60N04B, JMTK70N07A, JMTK75N02A, JMTK80N06A, JMTK90N02A, JMTQ100N03A, JMTQ100N03D