JMTK60N04B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTK60N04B  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 167 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO252

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JMTK60N04B datasheet

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JMTK60N04B

JMTK60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 60A Load Switch RDS(ON)

Otros transistores... JMSL0611PP, JMTK480N06A, JMTK500N10A, JMTK50N03A, JMTK50N06B, JMTK50P02A, JMTK50P03A, JMTK58N06B, IRF640N, JMTK70N07A, JMTK75N02A, JMTK80N06A, JMTK90N02A, JMTQ100N03A, JMTQ100N03D, JMTQ100N04A, JMTQ100P03A